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电镀锡球技术

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       电镀锡球技术是利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片的焊垫上制作锡凸块,然后再利用高温将凸块熔融,进行封装,此技术可大幅缩小IC的体积,并具有高密度、低感应、低成本、散热能力佳等优点。晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)一般只适用于在间距比较大焊垫上放置尺寸大的锡球,而电镀锡球技术应用在制造微细间距及超薄封装体厚度的小锡球方式,并已成功应用于倒装的组装中,体现了其优越性。


Solder Bump StructurePl ThicknessUBM ThicknessOther

1M

(UBM+Solder Bump)

NA8um Cu+Sn

Min.Bumo Pitch:0.15mm

Min.Ball Size:0.08mm

Min.Ball Height:0.020mm

Min.PI Opening:30um

Min.Trace Line X Space:10X10UM


1P1M

(PI+UBM+Solder BUMP)

5um8um Cu+Sn

2P2M

(1st PI+RDL+2ndPI+

  UBM+Solder Bump)


1st PI 5um

2nd PI 10um

RDL:5um Cu UBM:8um Cu+Sn

APPlication:

Smart Card,VCM Driver,Switch,Audio& Video,EEPROM/Flash/SRAM,MEMS&Sensor,ucontrollers


1457924437520371.png


a. Standard Turnkey process: Min. BG thickness 200um, T/R shipment;


1458272849948608.jpg


b. Special process: Min. BG thickness 60um, Wafer ring shipment.