晶圆片级芯片规模封装（Wafer Level Chip Scale Packaging，简称WLCSP)，即晶圆级芯片封装方式，不同于传统的芯片封装方式（先切割再封测，而封装后至少增加原芯片20%的体积），此种最新技术是先在整片晶圆上进行薄膜沉积，黄光和电化学沉积等制程封装和测试，再切割成尺寸与裸片完全一致的芯片成品，不需经过打线和填胶程序，封装后的芯片尺寸和裸芯片几乎一致。达到了小型化的极限（封装效率接近100%），符合消费类电子产品轻、小、短、薄化的市场趋势，并具有密度大、低感应、低成本、散热能力佳等优点。其封装成本的优势随着晶圆尺寸的增大和芯片尺寸的减小而更加明显。

       电镀锡球技术是利用涂胶、黄光、电镀及蚀刻制程等制作技术通过在芯片的焊垫上制作锡凸块，然后再利用高温将凸块熔融，进行封装，此技术可大幅缩小IC的体积，并具有高密度、低感应、低成本、散热能力佳等优点。晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP)一般只适用于在间距比较大焊垫上放置尺寸大的锡球，而电镀锡球技术应用在制造微细间距及超薄封装体厚度的小锡球方式，并已成功应用于倒装的组装中，体现了其优越性。

       Ball Drop技术通过自动化设备将焊球精准放置到芯片焊盘上，并通过回流焊工艺加热焊球，使其熔化并牢固地与焊盘形成电气和机械连接，从而实现芯片与外部电路的集成连接。Ball Drop技术适用于高密度布线设计，具有高精度，自动化程度高，适合大规模生产。同时焊球连接强度高，适用于严苛环境和高性能需求。